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第2讲 (第2章 晶体二极管及应用电路 续) 第二章测试

1、 N型半导体是在本征半导体中掺入( )

答案: 五价元素

2、 P型半导体是在本征半导体中掺入( )

答案: 三价元素

3、 当温度升高时,二极管的反向饱和电流会 ( ) 。

答案: 增大

4、 当温度升高时,二极管导通压降会( ) 。

答案:  减小

5、 PN结电容包括( )。

答案: 势垒电容和扩散电容

6、 本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。

答案: 正确

7、 P型半导体带正电,N型半导体带负电。

答案: 错误

8、 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

答案: 正确

9、 PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

答案: 正确

10、 在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。

答案: 正确

作业第2讲 (第2章 晶体二极管及应用电路 续) 第二章作业 题 2-1,2-2, 2-3, 2-4, 2-5

1、 中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第1张
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作业第4讲 (第三章 晶体三极管及其应用 续1) 第3章作业:题3-1,3-2,3-3,3-4

1、 中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第12张
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作业第5讲 (第三章 晶体三极管及其应用 续2) 第三章作业:题3-5,3-6,3-7,3-8

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作业第6讲 (第三章 晶体三极管及其应用 续3) 第三章作业:题3-9,3-10,3-11

1、 中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第41张中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第42张
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2、 中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第46张
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3、 题3-11有一定的难度,学生们可以作为任选题。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第50张中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第51张
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第三章 测试 第三章 测试 (题库中有约50题,每次随机抽取15题)

1、 晶体管工作在放大区时,具有如下特点

答案: 发射结正偏,集电结反偏。

2、 晶体管工作在饱和区时,具有如下特点

答案: 发射结正偏,集电结正偏。

3、 在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中,电压放大倍数小于1的是______组态。

答案: 共集

4、 对于下图所示放大电路,当用直流电压表测得UCE≈VCC时,有可能是因为______。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第57张

答案: RB开路

5、 对于下图所示放大电路,当用直流电压表测得UCE≈0时,有可能是因为__。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第58张

答案: RB过小

6、 对于下图所示放大电路,当VCC=12V,RC=2kΩ,集电极电流IC计算值为1mA。用直流电压表测时UCE=8V,这说明______。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第59张

答案: 电容Co短路

7、 对于下图所示放大电路,若其他电路参数不变,仅当RB增大时,UCEQ将______。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第60张

答案: 增大

8、 对于下图所示放大电路,若其他电路参数不变,若仅当RC减小时,UCEQ将______。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第61张

答案: 增大 

9、 对于下图所示放大电路,若其他电路参数不变,若仅当RL增大时,UCEQ将______。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第57张

答案: 不变

10、 对于下图所示放大电路,若其他电路参数不变,若仅更换一个β较小的三极管时,UCEQ将______。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第63张

答案: 增大 

11、 对于下图所示放大电路中,输入电压ui为余弦信号,若输入耦合电容Ci短路,则该电路______。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第64张

答案: 出现截止失真

12、 对于NPN组成的基本共射放大电路,若产生饱和失真,则输出电压_失真。

答案: 低部

13、 当输入电压为余弦信号时,如果PNP管共射放大电路发生饱和失真,则基极电流iB的波形将__。

答案: 不削波

14、 当输入电压为余弦信号时,如果PNP管共射放大电路发生饱和失真,则集电极电流iC的波形将___。

答案: 正半波削波 

15、 当输入电压为余弦信号时,如果PNP管共射放大电路发生饱和失真,则输出电压uo的波形将__。

答案: 正半波削波

16、 当输入电压为余弦信号时,如果NPN管共射放大电路发生饱和失真,则基极电流iB的波形将_____。

答案: 不削波

17、 当输入电压为余弦信号时,如果NPN管共射放大电路发生饱和失真,则集电极电流iC的波形将____。

答案: 正半波削波 

18、 当输入电压为余弦信号时,如果NPN管共射放大电路发生饱和失真,则输出电压uo的波形将__。

答案: 负半波削波

19、 为了使高阻输出的放大电路(或高阻信号源)与低阻负载(或低输入电阻的放大电路)很好地配合,可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入__。

答案: 共集电路

20、 为了使一个低阻输出的放大电路(或内阻极小的电压源)转变为高阻输出的放大电路(或内阻尽可能大的电流源),可以在低阻输出的放大电路的后面接入_______。

答案: 共基电路 

21、 在单级放大电路中,若输入电压为余弦波形,用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当为CE组态电路时,ui和uo的相位___。

答案: 反相

22、 在单级放大电路中,若输入电压为余弦波形,用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当CC电路时,,ui和uo的相位___。

答案: 同相

23、 在单级放大电路中,若输入电压为余弦波形,用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当CB电路时,,ui和uo的相位__。

答案: 同相

24、 在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中,电压放大倍数小于1的是_组态。

答案: 共集

25、 在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中,输入电阻最大的是__组态。

答案: 共集

26、 在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中,输小电阻最大的是__组态。

答案: 共基

27、 在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中,输出电阻最大的是__组态。

答案: 共基

28、 在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中,输出电阻最小的是__组态。

答案: 共集

29、 可以放大电压又能放大电流的是___组态放大电路。

答案: 共射

30、 可以放大电压但不能放大电流的是___组态放大电路

答案: CB

31、 可以放大电流但不能放大电压的是___组态放大电路。

答案: CC

32、 能够进行功率放大的是_____组态放大电路。

答案: 任意组态

33、 放大电路在低频信号作用下电压放大倍数下降的原因是存在____电容。

答案: 耦合电容和旁路电容

34、 放大电路在高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在___电容。

答案: 三极管极间

35、 三极管的特征频率fT点对应的β为_

答案: β =1

36、 某三极管的带宽增益积为1MHz。如果输入信号为单一频率的余弦波,电路能够进行信号放大的最高频率为___。

答案: 1MHz

37、 利用单一频率的余弦信号进行测试某放大电路,测试结果是:低频增益为AU,提高输入信号频率,频率f1时信号增益为0.707AU,继续提高输入信号频率,频率f2时信号增益为0.5AU,频率f3时信号增益为0.1AU。电路的通频带宽为____。

答案: f1

38、 为了简化分析过程,分析下图电路的低频特性时,可以忽略___的影响。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第65张

答案: 三极管极间电容

39、 为了简化分析过程,分析下图电路的中频特性时,忽略___的影响。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第66张

答案: Ci、Co 和三极管极间电容

40、 为了简化分析过程,分析下图电路的高频特性时,可忽略___影响。中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第66张

答案: Ci和Co

作业第7讲 (第四章 场效应管及其基本放大电路) 第四章作业 4-1,4-2,4.3

1、 中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第68张
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2、 中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第70张
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3、 中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第72张
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第8讲 (第四章 场效应管及其基本放大电路 续1) 第四章 测试

1、 场效应晶体管是用( )控制漏极电流的 。

答案: 栅源电压

2、 增强型NMOS管的开启电压( ) 。

答案: 大于零

3、 增强型PMOS管的开启电压( ) 。

答案: 小于零

4、 ( )场效应管不能采用自偏压电路。

答案: 增强型 

5、 共漏极放大电路的电压增益不能超过( ) 。

答案: 1.0

6、 某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是( )。

答案: 耗尽型PMOS管

7、 场效应管的低频跨导gm是常数。

答案: 错误
分析:不是常数,与栅源电压有关。

8、 结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间的PN结反偏。

答案: 正确
分析:PN结反向偏置时内阻很大。

9、 场效应管靠电子和空穴两种载流子导电。

答案: 错误
分析:只有一种载流子。

10、 结型场效应管发生预夹断后,管子关断,电流为零。

答案: 错误
分析:管子进入恒流区,电流稳定。

11、 分压式电路中的栅极电阻RG一般阻值很大,目的是提高电路的输入电阻。

答案: 正确

12、 增强型PMOS管的开启电压大于零。

答案: 错误
分析:小于零。

作业第8讲 (第四章 场效应管及其基本放大电路 续1) 第四章作业:题4.4、4.5、4.6

1、 中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第74张中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第75张
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3、 中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第80张中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第81张
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第10讲 (第五章 放大电路的频率响应 续1) 第五章 测试

1、 当信号频率等于放大电路的下限截止频率fL或上限截止频率fH时,放大倍数下降到中频时的0.7倍,此时增益下降( )dB。

答案:  3dB

2、 BJT放大电路工作在高频状态时,造成放大倍数下降的主要原因是( )。

答案: 晶体管结电容

3、 特征频率fT表示BJT丧失电流放大能力时的极限频率,此时β=( )。

答案: 1

4、 共射截频fβ为共射电流放大系数对应的截止频率,共基截频fα为共基电流放大系数对应的截止频率,两者的关系为( )。

答案:  fα > fβ

5、 将多个单级放大电路级联起来构成多级放大电路,通常情况下多级放大电路的增益( )了,通频带( )了。

答案: 提高、变窄

6、 共射-共基组合电路高频特性好于共射电路的原因是( )。

答案: 共基电路输入电阻小

7、 在使用作图法描述放大电路的频率响应特性时,横坐标对频率的对数采用线性刻度,纵坐标对增益的对数值采用线性刻度,这种特性曲线称为( )。

答案: 波特图

8、 相频特性波特图作图时,每个零点对相频特性的贡献为( )。

答案: 90度

9、 在中频增益曲线中,fL为低频截止频率, fH为高频截止频率,放大电路的带宽为:BW=( )。

答案:  fH – fL

10、 为了简化高频混合π模型,可以使用( )将双向传输模型变为单向传输模型。

答案: 密勒定理

作业第10讲 (第五章 放大电路的频率响应 续1) 第五章 题5-1, 5-2, 5-3, 5-4, 5-5, 5-6, 5-7, 5-8

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5、 中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第93张中国大学mooc慕课 模拟电子技术(北京交通大学)  答案满分完整版章节测试第94张
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