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第二章MOS晶体管原理
第二章测试
1、单选题：
下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线
A: 
B: 
C: 
D: 
答案:
2、单选题：
以下哪个条件是线性区的条件
A: 
B: 
C: 
D: 
答案:
3、判断题：
MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
4、判断题：
MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
第二章下设计与工艺接口
第二章下测试
1、单选题：
重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内
A: 衬底掺杂浓度
B: 氧化层厚度
C: 多晶硅与衬底的功函数差
D: 栅极电压
答案: 栅极电压
2、单选题：
下列哪个选项不属于设计与工艺接口
A: 工艺抽象
B: 电学设计规
C: 几何设计规则
D: 工艺检查与监控
答案: 工艺抽象
3、判断题：
几何设计规则给出的是一组版图设计的最大允许尺寸
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
4、判断题：
下图曲线是倒相器在各个工艺角下的仿真结果，从上往下工艺角越来越差
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
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